Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires

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2007 - 242 pages
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Nous avons étudié le dopage extrinsèque de type P du CdHgTe réalisé par épitaxie par jets moléculaires et avons montré que l'impureté arsenic était le meilleur candidat pour ce dopage. L'incorporation du dopant P lors de la croissance cristalline du matériau a été obtenue grâce à trois sources différentes: une cellule à effusion, une cellule cracker et une cellule plasma. Après un recuit d'activation, les mesures électriques de ces échantillons ont montré un dopage P de quelques 1016 à quelques 1018 porteurs par centimètre cube. En comparant ces mesures et les taux d'arsenic incorporés lors de la croissance il est apparu qu'une grande partie des atomes arsenic n'étaient pas électriquement actifs après recuit. Afin de mieux comprendre les phénomènes mis en jeu lors de la croissance cristalline et lors du recuit d'activation, une campagne de mesures EXAFS a été conduite à l'European Synchrotron Radiation Facility. Nous avons alors montré qu'après croissance l'environnement cristallin des atomes d'arsenic était cristallin alors qu'après recuit cet environnement devenait amorphe.Nous avons enfin réalisé des dispositifs électriques et mis en évidence les premières diodes dopées par ajout d'arsenic.

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